Тестирование модулей памяти DDR2 от Elixir
DDR2 потихоньку доживает свой век. Процессоры Core i7 уже не поддерживают этот тип памяти, Core i5 также будут поддерживать только DDR3. Но пока выпускается достаточно много материнских плат под Socket AM3 и Socket LGA 775, которые совместимы со старой памятью, и интересные модули по-прежнему заслуживают внимания. Сегодня в нашей тестовой лаборатории – DDR2-память Elixir.
Наиболее популярными модулями DDR2 остаются PC6400, эффективная тактовая частота которых составляет 800 МГц. Но если раньше более производительные модели чаще всего продавались энтузиастам, то сейчас их можно встретить и в бюджетном сегменте. Мы проверили производительность и разгонный потенциал бюджетных модулей памяти от компании Elixir.
Elixir – китайская фирма, которая была основана в 2001 году. Она является подразделением Nanya Technology Corporation, занимающимся производительными модулями памяти. Последняя в 2002 году начала свое сотрудничество с Qimonda AG, но впоследствии доля Qimonda была выкуплена Micron. Сейчас этот альянс занимается освоением новых техпроцессов для изготовления чипов оперативной памяти.
Попавшие к нам модули внешне практически ничем не выделяются. Чипы памяти (расположенные с двух сторон) закрыты плоскими алюминиевыми пластинами – вот и вся система охлаждения; впрочем, для не-оверклокерской памяти такой СО вполне достаточно. Крепление радиаторов к чипам памяти осуществляется с помощью термоклея. Интересно раскрашены сами пластины – чёрные языки пламени на жёлтом фоне, довольно символично.
На пластинах есть наклейка, где указано точное название модели и ее характеристики. M2Y2G64TU8HD9B-BD – расшифровку можно посмотреть на сайте компании. Наши экземпляры – 2 ГБ модули PC2-8500 CL=6, но есть и более быстрые.
После установки и запуска мы первым делом проверили SPD. Там нас ожидал небольшой сюрприз. Сама память запустилась как DDR2-1066 с задержками 6-6-6-24, однако в характеристиках указывалось, что это DDR2-1100.
При этом режим DDR2-1066 даже отсутствовал в SPD. Вместо него как раз стоял DDR2-1100 с нестандартными задержками 6-7-7-25. Такое несоответствие характеристик смущает, тем более, из-за повышенных таймингов нельзя сказать, что память работает однозначно быстрее, чем в заявленном режиме.
Для работы памяти с частотой 1100 МГц требуется небольшой разгон процессора, поэтому логично, что материнская плата сама «сообразила» и выставила стандартные значения. Впрочем, нельзя гарантировать подобное поведение для другой платы.
Другие два профиля, введенные в SPD, являются более традиционными – 400 МГц 5-5-5-18 и 333 МГц 4-4-4-15. EPP данные модули не поддерживают. Штатное напряжение – 1,8 В.
Для тестирования мы использовали следующую конфигурацию стенда:
Процессор: Core 2 Quad QX9650
Материнская плата: Gigabyte EP45-UD3R
Видеокарта: Asus EAH 3650 TOP
Жесткий диск: Western Digital WD3200JD
Блок питания: Thermaltake Thoughpower XT 650W
Операционная система: Windows XP SP3
Проверка системы на стабильность осуществлялась с помощью Linpack LinX 0.5.9. Множитель процессора при разгоне специально занижался так, чтобы частота не превышала штатную. Работа памяти на пониженных частотах реализовывалась через уменьшение коэффициента, по возможности не снижая частоту шины. Мы решили проверить разгонный потенциал памяти во всех трех режимах, прописанных в SPD, выставляя также и дополнительные тайминги.
В итоге при использовании настроек первого профиля SPD мы смогли разогнать память до 1251 МГц без повышения напряжения (разгон получился на 13,7% от базовой частоты). Обидно, что при его увеличении память практически сразу теряла стабильность. Таким образом, дополнительные мегагерцы выжать не получилось.
Для CL=5 нам удалось поднять частоту до 972 МГц, что составляет уже около 20%. Близкий прирост по частоте нам удалось получить и при таймингах 4-4-4-15.
Мы также сравнили производительность модулей в различных режимах. Проверка осуществлялась с помощью бенчмарка памяти, встроенного в Everest. Были получены следующие результаты.
В штатном режиме память быстрее всего работает при CL=6. Это происходит за счет более высокой частоты. Однако сценарий с CL=5 оказывается заметно быстрее в записи и копировании.
Эти данные могут показаться странными, но только до того момента, как вы пристальнее взглянете на дополнительные тайминги. Они резко падают при переходе от 555 МГц к 400 МГц, а дальше практически не изменяются при переходе к 300 МГц. Очень странный всё-таки SPD, не находите ли?
Теперь посмотрим на производительность памяти после разгона:
Более сильный в процентном выражении разгон уравнивает производительность памяти при CL=6 и CL=4, даже давая последнему сценарию небольшое преимущество в латентности. А по суммарной производительности сценарий с CL=5 выходит в однозначные лидеры, лишь немного проигрывая по латентности.
Также мы решили провести сравнение памяти от Elixir с классическими PC2-6400 CL=6 модулями от Samsung. Синтетический бенчмарк Everest показывает значительную разницу в производительности модулей. В таблице приведены показатели памяти Samsung:
| Чтение | Запись | Копирование | Латентность |
| 7126 МБ/сек | 7058 МБ/сек | 6884 МБ/сек | 71.7 нс |
Мы использовали их без разгона и провели несколько стандартных тестов. Это было сделано, чтобы показать, как влияет применение более быстрой памяти на производительность системы в реальных сценариях использования.
При тестировании память от Elixir проверялась в максимальном разгоне (с задержками CL=5), при этом множители были подобраны так, что частота процессора осталась прежней – 3 ГГц. Это было сделано для того, чтобы свести к минимуму стороннее влияние.
Но на самом деле уже в нем можно заметить, что две основные характеристики – производительность чтения и латентность – не сильно ниже, чем у памяти от Elixir.
А реальных приложениях преимущество быстрой памяти вообще практически сходит на нет. Лишь скорости архивации и работы в Mathematica оказываются заметно выше.
Результаты этих тестов говорят о том, что покупка оверклокерской памяти зачастую (кроме довольно специфических задач) бессмысленна и уж точно не оправдывает свою стоимость.
В целом, зная довольно лояльную ценовую политику компании Elixir, эту память можно рекомендовать к покупке. Хочется отметить хороший разгонный потенциал памяти. Он, конечно, не заставляет ее работать наравне с настоящими оверклокерскими моделями, но в процентном отношении очень неплох.
А вот с SPD у этих модулей наблюдаются явные проблемы. Будем надеяться, что это касается только попавших к нам, а в серию пойдут уже нормальные. Для опытного пользователя «кривой» SPD не является проблемой, а вот у рядовых покупателей могут возникнуть неприятности.
Также хочется посетовать на низкую распространенность продукции Elixir на территории России. Всё-таки Nanya сама является производителем чипов DRAM, что гарантирует высокое качество и надежность продукции.
Чипы от nanya technology
Народ всем привет, подогнали мне оперативу (на халяву) Kingston black fury 8gb. Чипы на нем стоят nanya technology. Пытаюсь взять на нем частоту 3 ГГц, вроде бы берет, но происходят вылеты в играх. Кто нибудь слыхал про такие чипы, может кто гнал на них оперативу? DDR4 стоковая частота 2666 МГц с таймингами 16-18-18-39
25 Sep 2019 в 12:21 #2
Наня техноложи
Ничего об этом не слышал, но как ты разгоняешь?
25 Sep 2019 в 12:23 #3
Наня техноложи
Ничего об этом не слышал, но как ты разгоняешь?
я как понял это чипы натуральный китаец =)
25 Sep 2019 в 12:25 #4
Народ всем привет, подогнали мне оперативу (на халяву) Kingston black fury 8gb. Чипы на нем стоят nanya technology. Пытаюсь взять на нем частоту 3 ГГц, вроде бы берет, но происходят вылеты в играх. Кто нибудь слыхал про такие чипы, может кто гнал на них оперативу? DDR4 стоковая частота 2666 МГц с таймингами 16-18-18-39
3000 с cl16 на 1.35в для этой планки предел.
Ковыряй вольтаж и тайминги, мб что то выйдет
25 Sep 2019 в 12:27 #5
3000 с cl16 на 1.35в для этой планки предел.
Ковыряй вольтаж и тайминги, мб что то выйдет
т.е как вариант CL16 вообще не трогать? С высокими таймингами тормозов не будет в дальнейшем? Рядом же еще паралельно стоит моя оператива Kingston black fury с теме же таймингами, но она зараза изи берет 3133 МГц с вольтажом 1.35 и со стоковыми таймингами. Чипы там уже Hynix
25 Sep 2019 в 12:28 #6
выставил вольтаж 1.36, выставил частоту 3000 МГц, сначало пытался на стоковых таймингах взять, вылеты, потом поднимал тайминги до 16-19-20-32, такая же фигня, но вылеты уже реже, выше тайминги задирать уже жаба душить начинает
Там ещё дофига пунктов в биосе, которые можно и нужно крутить для стабильности. Опиши подробно систему (в т.ч. версию биоса) и жди задров, а лучше вбрось на https://forums.overclockers.ru/
25 Sep 2019 в 12:29 #7
т.е как вариант CL16 вообще не трогать? С высокими таймингами тормозов не будет в дальнейшем?
Я назвал предел. Реально, будет уже неплохо завезти cl18 3000.
Для стабильности разгона есть ещё вторичные тайминги и вольтаж контроллера памяти
25 Sep 2019 в 12:31 #8
Там ещё дофига пунктов в биосе, которые можно и нужно крутить для стабильности. Опиши подробно систему (в т.ч. версию биоса) и жди задров, а лучше вбрось на https://forums.overclockers.ru/
Мать Asus B350 m-e, биос версия 5214 (последняя под новые рязани).
Проц Ryzen 52600 с разгоном до 3.9 ГГц с вольтажом 1.2.
Основная оператива Kingston Black Fury 2666 МГц с таймингами 16-18-18-39 с чипами Hynix. А за ссылучку спасибо, попробую там у ребят разузнать по этому поводу =)
25 Sep 2019 в 12:38 #9
Мать Asus B350 m-e, биос версия 5214 (последняя под новые рязани).
Проц Ryzen 52600 с разгоном до 3.9 ГГц с вольтажом 1.2.
Основная оператива Kingston Black Fury 2666 МГц с таймингами 16-18-18-39 с чипами Hynix. А за ссылучку спасибо, попробую там у ребят разузнать по этому поводу =)
25 Sep 2019 в 12:38 #10
Я назвал предел. Реально, будет уже неплохо завезти cl18 3000.
Для стабильности разгона есть ещё вторичные тайминги и вольтаж контроллера памяти
Это на мосту который?
25 Sep 2019 в 17:27 #11
Я не помню, чтобы nanay относительно недавно выпускала чипы, у них вроде какие-то проблемы, значит скорее всего это старьё и выше 3000мгц уже и не прыгнуть. Там скорее каких-нибудь старых ревизий чипы, и чтобы покорить заветные частоты надо нормально ослаблять тайминги. Я бы лучше понизил немного частоту.
Напряжение на SoC.
26 Sep 2019 в 08:36 #12
Я не помню, чтобы nanay относительно недавно выпускала чипы, у них вроде какие-то проблемы, значит скорее всего это старьё и выше 3000мгц уже и не прыгнуть. Там скорее каких-нибудь старых ревизий чипы, и чтобы покорить заветные частоты надо нормально ослаблять тайминги. Я бы лучше понизил немного частоту.
Напряжение на SoC.
Да с овер высокими таймингами проблемы, вчера игрался с ними. На SoC напряжение до 1.1 поднимал
Nanya до конца года выпустит микросхемы оперативной памяти 10-нм класса
Компания Nanya является самым крупным тайваньским производителем микросхем памяти, и четвёртым в мире с долей чуть больше 3 %. Несмотря на значительное отставание от Samsung, Micron и SK Hynix в объёмах поставок, тайваньский производитель продолжает работать и над новыми технологиями. Так, недавно Nanya объявила о скором выходе первых микросхем DRAM 10-нм класса, а также раскрыла планы по выпуску 16-гигабитных чипов DRAM и памяти DDR5.
На самом деле, Nanya довольно сильно запоздала с переходом на нормы 10-нм класса. Всё дело в высокой цене разработки данных передовых технологий, из-за чего тайваньский производитель решил не осваивать их в одиночку. Вместо этого компания будет лицензировать некоторые ключевые элементы технологии для производства микросхем оперативной памяти 10-нм класса (1X/1Ynm) у компании Micron. Первые продукты 10-нм класса Nanya планирует выпустить до конца текущего года.
Для начала Nanya планирует наладить производство уже проверенных временем микросхем памяти DDR4 объёмом до 8 Гбит, и только после этого перейти к производству передовых микросхем DDR5 и чипов ёмкостью 16 Гбит. Вслед за первым поколением (1Anm) микросхем 10-нм класса, Nanya планирует уже в 2022 году преступить к массовому производству чипов второго поколения (1Bnm), а ещё через какое-то время подоспеет и третье поколение (1Cnm).
В целом, переход к техпроцессу 10-нм класса — это очень большой шаг для столь скромного производителя, как Nanya. Данная компания имеет всего 3200 сотрудников и портфель из чуть менее 4200 патентов, в основном в области хранения данных. Чипы DRAM от Nanya используются в качестве кеша во многих SSD-накопителях. И согласно последнему квартальному отчёту, прибыль тайваньской компании значительно сократилась из-за падения цен на твердотельные накопители. Доход в четвёртом квартале 2019 года составил $440 млн, а прибыль — $43 млн. Для сравнения: объем квартальных продаж Micron составляет $5,1 млрд, а прибыль — $508 млн.
Обзор комплекта памяти Kingston HyperX Genesis ограниченной серии Na`Vi Edition объемом 16 ГБ
Совсем недавно компания Kingston Technology совместно с многократными чемпионами мира по киберспорту Natus Vincere выпустила лимитированную серию продукции Na’Vi Edition. Линейка включает твердотельные накопители, оперативную память и «флэшки». Перепутать продукты Na’Vi Edition практически невозможно, их отличает ярко-жёлтая окраска и наличие логотипа киберспортивной команды.
Разумеется, сотрудничество с профессиональными геймерами носит чисто маркетинговый характер и по сути заключается в подписании взаимовыгодных договоров и использовании логотипов в дизайне продукции. Вряд ли киберспортсмены принимают какое-либо участие в проектировании и производстве технической составляющей. Но большинству наших читателей маркетинговые уловки и внешнее оформление комплектующих не интересны. Гораздо важнее реальные возможности «железяк» и их разгонный потенциал. Поэтому мы решили протестировать комплект памяти Kingston HyperX KHX16C9C2K2/16 из новой линейки Na’Vi Edition.
Kingston HyperX Genesis KHX16C9C2K2/16 Na’Vi Edition
Продукт поставляется в небольшой картонной коробке с очень броским оформлением. В дизайне преобладают чёрный и жёлтый цвета, такие же как на логотипе киберспортивной команды. Лицевая сторона упаковки снабжена окошком, через которое видно планки памяти.
Тыльная сторона коробки содержит краткое повествование о команде Na’Vi и фото пятерых её нынешних участников. О самой памяти практически ничего не написано.
Внутри картонной оболочки находится уже привычная блистерная упаковка, характерная для всех комплектов Kingston HyperX. Блистер заклеен фирменным стикером, на котором приведены характеристики продукта и серийный номер.
Кроме самих модулей памяти, в коробке можно найти также руководство пользователя.
Планки выполнены на чёрном текстолите. В качестве системы охлаждения предусмотрены алюминиевые пластины-радиаторы, окрашенные в ярко жёлтый цвет. Конструкция радиаторов соответствует линейке HyperX Genesis, отличается лишь цветовым оформлением.
Радиаторы оснащены перфорацией. Однако эти отверстия едва ли могут повлиять на качество охлаждения и носят по всей видимости декоративную функцию.
При детальном рассмотрении заметно, что слой краски сравнительно толстый. Скорее всего при окраске применялся порошковый метод, а не анодирование. Цвета получились яркие и насыщенные, но такая покраска несколько ухудшает теплообмен.
В основе модулей памяти лежит восьмислойная печатная плата. Пластины радиатора плотно прилегают к чипам. Общее качество изготовления находится на высоком уровне.
Традиционно для наших обзоров, мы решили заглянуть под радиаторы, чтобы получить информацию об установленных чипах памяти. Сделать это оказалось не так просто. Радиаторы сильно приклеены к чипам, поэтому снимать их нужно с предельной аккуратностью, хорошо прогревая феном. После десяти двадцатиминутных потуг разобрать модуль всё же удалось.
За последнее время мы привыкли видеть микросхемы производства Hynix в большинстве дорогих комплектов памяти, но на этот раз ожидания не оправдались. На чипах хорошо читается маркировка Nanya NT5CC512M8BN-DI. С такими микросхемами мы ещё не сталкивались, поэтому изучение разгонного потенциала должно быть особенно интересным.
Объём каждой планки в 8 ГБ набран шестнадцатью 4-гигабитными чипами, по восемь с каждой стороны модуля.
Модули памяти рассчитаны на номинальную частоту 1600 МГц с задержками CL9-9-9-27. Рекомендуемое значение Command Rate не указано. Штатное напряжение питания составляет 1,5 В. Соответствующие значения прописано в SPD в виде профиля XPM. Кроме того в прошивки присутствуют и стандартные наборы задержек по JEDEC. Никаких профилей с напряжением выше, чем полтора вольта в SPD не прописано, то есть набор памяти позиционируется как низковольтный, а не оверклокерский.
Несмотря на то что разобрать планку памяти было довольно проблематично, собрать её в исходное состояние не вызвано никаких затруднений. Липкая с двух сторон термопрокладка, которая удерживает пластину радиатора на чипах, оказалась очень качественной. И даже после прогрева и разборки она остаётся мягкой и клейкой. Поэтому для сборки нужно всего лишь расположить «термолипучку» на своём месте, затем хорошо прижать половинки радиатора. Для надёжности можно на несколько минут зажать собранный модуль прищепками. После сборки память не отличить от новой.
Приступим к изучению разгонного потенциала новинки.
Тестовый стенд и методика тестирования
- процессор: Intel Core i7-4770K (3,4 ГГц, жидкий металл под крышкой);
- кулер: Thermalright Arhon;
- термоинтерфейс: Zalman ZM-STG2;
- материнская плата: ASUS Sabertooth Z87 (Intel Z87);
- видеокарта: Gigabyte GV-R795WF3-3GD (AMD Radeon HD 7950);
- накопитель: Kingston SSDNow V+200 (120 ГБ, SATA 6 Гбит/с);
- блок питания: Chieftec CTG-750C (750 Вт);
- операционная система: Windows 7 Ultimate x64;
- драйверы: Intel Chipset Device Software (9.4.0.1017), Intel Management Engine Interface (9.0.0.1367), AMD Catalyst 13.8 beta2.
В операционной системе были отключены: UAC, файл подкачки, брандмауэр и Windows Defender. Никаких антивирусных пакетов установлено не было, тонкие настройки системы не выполнялись. Все доступные обновления операционной системы были установлены через Центр Обновления Windows.
Тесты на стабильность разгона проводились в среде Windows 7 Ultimate x64. Для проверки мы использовали утилиту LinX 0.6.4 с поддержкой технологии AVX. Объем памяти в стресс-тесте устанавливался на отметке 4096 МБ.
Разгонный потенциал изучался с четырьмя наборами таймингов, актуальными для данных планок памяти: 8-9-9-26, 9-10-10-28, 10-11-11-30 и 11-13-13-35 с Command Rate 1T. Стоит отметить, что эти наборы задержек отличаются от тех, с которыми мы тестируем память на базе чипов Hynix. Задержки подбирались опытным путём, так как никаких данных о разгоне памяти на базе микросхем Nanya NT5CC512M8BN-DI нам найти не удалось. Второстепенные задержки не изменялись и находились в режиме Auto. Напряжение питания модулей составляло 1,5, 1,65 и 1,8 вольт, «системного агента» поднималось до 1,15 В, для контроллера памяти — до 1,25 В.
Результаты разгона
Частотные показатели памяти Kingston HyperX KHX16C9C2K2/16 Na’Vi Edition оказались ниже ожидаемых нами. Чипы Nanya явно не подходят для значительного разгона. Так даже протестированный ранее комплект бюджетной низковольтной памяти Hynix обошёл по частоте новинку. Кроме того стоит отметить специфический характер разгона чипов NT5CC512M8BN-DI. Микросхемы неплохо ведут себя при низком напряжении, показывая частоты заметно выше номинальных. При этом повышение напряжения даже до 1,8 В не позволяет получить частот свыше 2200 МГц. Ослабление задержек до CL11-13-13-35-1T вообще не даёт практически никакого прироста относительно режима CL10-11-11-30-1T. То есть на высокую тактовую частоту память не рассчитана. Наиболее оптимальным режимом можно считать 2100 МГц при CL10-11-11-30-1T. Для большей убедительности полученных результатов тест также был проведён на платформе LGA1155 с отборным Intel Core i7-3770K.
Итак, чуда мы не увидели. Результаты разгона оказались закономерно ниже, чем с процессором Intel Core i7 4770K. А у последнего контроллер памяти совершеннее и быстрее, чем у предшественника, что и повлияло на итоговую частоту. И вновь увеличение задержек не даёт никакого прироста.
Нужно сказать и пару слов о температурном режиме модулей. Для замера температуры радиаторов и чипов оперативной памяти мы используем инфракрасный термометр с погрешностью измерения около одного градуса Цельсия. Температурные показатели модулей находятся в среднем на 8–9 градусов выше, чем у планок с чипами Hynix последних поколений в аналогичных режимах функционирования. Однако дополнительное охлаждение модулей Kingston Na’Vi Edition не принесло желаемого увеличения разгонного потенциала. То есть температурный режим не является ограничивающим фактором. А в режимах, которые отображены на графиках, память может стабильно работать вне зависимости от наличия или отсутствия дополнительного охлаждения.
Выводы
Протестированный нами комплект памяти Kingston HyperX Genesis KHX16C9C2K2/16 Na’Vi Edition сочетает в себе сразу несколько положительных качеств. Самое заметное — броский и яркий дизайн, который придётся по душе моддерам и любителям компьютерной эстетики. Планки имеют приемлемые частотные характеристики и средние результаты разгона. И, что самое главное, скромный ценник. Комплект из двух модулей по 8 ГБ стоит сейчас в среднем $150, что с учётом общего подорожания цен на память лишь немного выше, чем на самые бюджетные модули DDR3 аналогичного объёма. Именно демократичная цена и позволяет закрыть глаза на невысокие результаты разгона. Тем более что для повседневной работы и игр полученных частот будет более чем достаточно.
А вот любителям экстремального разгона и бенчмаркинга новинка скорее всего не подойдёт. Им стоит обратить внимание на более высокочастотные комплекты памяти, или попробовать заняться отбором лучших планок среди бюджетной памяти на базе чипов Hynix или Samsung. Конечно, нам мог попасть в руки и крайне неудачный экземпляр памяти, и кому-то повезёт больше. Но в магазинах вряд ли дадут протестировать память на разгон перед покупкой. Поэтому энтузиастам всё же лучше воздержаться от приобретения рассмотренного комплекта.
Производителю же мы пожелали бы в следующей ревизии это памяти, если она конечно будет, заменить не самые удачные чипы Nanya на другие бюджетные, но более приемлемые для разгона. Тогда и продукт Kingston HyperX KHX16C9C2K2/16 Na’Vi Edition в целом станет более привлекательным для покупателей, в том числе и любителей разгона.
